Tiểu luận Thiết kế mạch tích hợp

<p> Trong (2) và (3), ωT và gm đã bao gồm tác động của RS hoặcRE, và có thểdễdàng thu được từ các phép đo tần sốcao hoặc mô phỏng, trong khi k là một chức năng của mức độtương quan giữa đầu vào và đầu ra dòngtiếng ồn của các bóng bán dẫn, và thường gần đến 0,5. Hiệu ứng Miller làít nhất một phần chiếm trong (2) và (3) thông qua ωT, đặc biệt là cho các giai đoạn cascode. Ví dụ, đối với các MOSFET 65nm và HBT SiGe trong hình. 2, RS+ RG và RE + RB là 3,5 Ωvà 14 Ω, tương ứng. Giảsửrằng các thiết bịnày đã được kích thước cho phù hợp với tiếng ồn tại 77 GHz đến 40 Ω[21] và33 Ω[18], tương ứng, tài khoản cho điện dung pad của 20 FF và 30 FF, tương ứng. A 16 × 65nm × 1µm MOSFET sẽlà cần thiết, thiên vịcho tiếng ồn tối thiểu là 2,5 mA,với tổng sốseries parasitics 19 Ω, thực tếmột nửa của trởkháng tiếng ồntối ưu. Tương tựnhưvậy, tương ứng 2 × 0.13µm × HBT 3.75µm sẽbịsai lệch ởmức 8 mA với tổng sốparasitics loạt của 15 Ω, cũng khoảng 50% tiếng ồntối ưu trởkháng. Hai ví dụminh họa parasitics bóng bán dẫn đóng vai trò chủyếu mm-sóng tần số, và rằng các xưởng đúc phải có khảnăng kiểm soát chặt, mà phải là trường hợp trong cảhai CMOS và SiGeBiCMOS công nghệ. Trong Colpitts VCOs, trở kháng điện trởcủa bóng bán dẫn được bù đắp bằng cách kết nối một tụ điện cao-QMIM qua emitter-cơsởhoặc ngã ba cổng nguồn, nâng cao sức đềkhángtiêu cực và làm giảm sự đóng góp tiếng ồn giai đoạn từparasitics điện trở[16], [20]. </p>

TÀI LIỆU LUẬN VĂN CÙNG DANH MỤC

TIN KHUYẾN MÃI

  • Thư viện tài liệu Phong Phú

    Hỗ trợ download nhiều Website

  • Nạp thẻ & Download nhanh

    Hỗ trợ nạp thẻ qua Momo & Zalo Pay

  • Nhận nhiều khuyến mãi

    Khi đăng ký & nạp thẻ ngay Hôm Nay

NẠP THẺ NGAY