Luận án Các tính chất vận chuyển của điện tử trong giếng lượng tử InP/In1-XGaxAs/InP

Tóm lại, trong luận văn này chúng tôi trình bày lại kết quả của [1] ứng với gần đúng RPA, gần đúng Hubbard và mở rộng thêm cho gần đúng STLS và khi hệ có đồng thời cơ chế tán xạ tạp chất ion hóa và mất trật tự hợp kim để khảo sát độ linh động và điện trở của khí điện tử hai chiều trong giếng lượng tử InP/In1- xGaxAs/InP do các cơ chế tán xạ tạp chất ion hóa và mất trật tự hợp kim. Chúng tôi nghiên cứu sự phụ thuộc của độ linh động và điện trở vào mật độ hạt tải, bề dày lớp, nhiệt độ và từ trường song song. Chúng tôi thấy rằng hiệu chỉnh trường cục bộ trong gần đúng STLS mô tả độ linh động và điện trở của khí điện tử hai chiều ở vùng mật độ hạt tải thấp ảnh hưởng mạnh tới độ linh động và điện trở so với gần đúng RPA và gần đúng Hubbard. Kết quả tính toán của chúng tôi cũng xác định được mật độ tới hạn xảy ra hiện tượng chuyển pha giữa kim loại và chất cách điện ứng với trường hợp đa va chạm. Chúng tôi hy vọng các kết quả của chúng tôi kết hợp với các kết quả thực nghiệm sẽ cho phép xác định các cơ chế tán xạ chủ yếu hạn chế độ linh động và mật độ tới hạn xảy ra hiện tượng chuyển pha giữa kim loại và chất cách điện của các hạt tải trong các linh kiện sử dụng cấu trúc lớp InP/In1-xGaxAs/InP.

TÀI LIỆU LUẬN VĂN CÙNG DANH MỤC

TIN KHUYẾN MÃI

  • Thư viện tài liệu Phong Phú

    Hỗ trợ download nhiều Website

  • Nạp thẻ & Download nhanh

    Hỗ trợ nạp thẻ qua Momo & Zalo Pay

  • Nhận nhiều khuyến mãi

    Khi đăng ký & nạp thẻ ngay Hôm Nay

NẠP THẺ NGAY